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FUJIグループのファスフォードテクノロジ、半導体製造装置のR&D棟を山梨に

手前の棟がR&D棟

 FUJIのグループ会社で半導体製造装置を手がけるファスフォードテクノロジは、昨年11月から山梨県南アルプス市に建設していたR&D棟の竣工式を1129日に行った。延床面積6172平方㍍、地上3階建で総投資額は約25億円。最先端のパッケージング技術開発を加速させる開発環境を特徴とする。
 背景にはデータ通信量の増加に伴うデータセンターや基地局への投資、自動車向け半導体デバイス需要の拡大がある。今後の半導体関連市場の成長拡大が見込まれることから、主力製品であるダイボンダ(集積回路をリードフレームや基板に搭載・接着する機械)の幅広いラインアップを揃えるための開発環境の構築を目指し、R&D棟を新設した。「拡大する半導体需要に半導体製造装置のボンディング技術で応える」とする。

20231210日号掲載)